美光HBM4进入高量产，16层48GB样品送英伟达
发布日期：2026-09-11
事件概述
美光在2026年GTC大会期间官宣HBM4进入高量产，面向英伟达 Vera Rubin 平台；采用1-beta DRAM工艺，pin速率超11Gbps，单栈带宽大于2.8TB/s。
核心要点
- 量产规格：36GB 12层，2025年6月向关键客户送样，2026年3月进入高量产
- 样品：48GB 16层样品同步送出，带宽较 HBM3E 提升 2.3 倍、能效提升超 20%
- 扩产：新加坡 HBM 封装新厂及美国产能 2027 年贡献增量，日本广岛项目 2028 年
- 客户：美光披露 HBM 客户群已扩展至 6 家，从单一 GPU 买家走向多客户
行业意义
在“AI进入推理时代”的主线下，这条进展指向同一个判断：存储（HBM 与 NAND）的演进正从“堆容量”转向“按温度分层”——HBM 当热层、CXL 池化 DRAM 当温层、NAND/AI SSD 当冷层与模型仓库。谁先把这三层打通、把 KV cache 管好，谁就握住推理成本的下限。