三星HBM4量产首发，11.7Gbps通过英伟达认证
发布日期：2026-09-11
事件概述
三星电子于2026年2月宣布全球首发量产HBM4，并已通过英伟达认证向 Vera Rubin 平台供货；采用第六代10nm级（1c）DRAM工艺与4nm逻辑制程 base die。
核心要点
- 速率：数据处理速度 11.7Gbps（最高可扩展至 13Gbps），超过英伟达与AMD要求的 10Gbps
- 容量：12层堆叠 36GB，16层堆叠可达 48GB
- 目标：2026年 HBM4 占其 HBM 总出货 50% 以上，整体 HBM 产能较 2025 年增长
- 下一代：已向英伟达送 HBM4E 早期样品，可靠性测试良率突破 70%
行业意义
在“AI进入推理时代”的主线下，这条进展指向同一个判断：存储（HBM 与 NAND）的演进正从“堆容量”转向“按温度分层”——HBM 当热层、CXL 池化 DRAM 当温层、NAND/AI SSD 当冷层与模型仓库。谁先把这三层打通、把 KV cache 管好，谁就握住推理成本的下限。